[发明专利]透明导电膜和其形成方法、电光学装置及电子仪器无效
| 申请号： | 200610084872.6 | 申请日： | 2006-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN1870226A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 平井利充;守屋克之 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;H01L21/02;H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/00;H01L23/485;H01L23/522;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供对于透明导电膜微细的图案形成可能而且防止由气体或水分的影响造成的透光率降低的透明导电膜和其形成方法及具备这样的透明导电膜的电光学装置、电子仪器。其透明导电膜的形成方法具备：用以聚硅氧烷作为骨架的材质在基板(P)上形成与像素电极(透明导电膜)(19)的形成区域相对应的围堰(B4)的工序；用液滴喷出法在由围堰(B4)划分的区域内配置含有透明导电性微粒子的第1功能液的工序；干燥处理第1功能液而作成第1层膜(19c)的工序；用液滴喷出法在第1层膜(19c)上配置含有金属化合物的第2功能液的工序；和一起烧成第1层膜(19c)和第2功能液形成由第1层膜(19c)和埋住该膜中的空隙的金属氧化物构成的透明导电层(19a)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电 形成 方法 光学 装置 电子仪器 | ||
【主权项】：
1.一种透明导电膜的形成方法，在基板上形成透明导电膜，其中，具备：用以聚硅氧烷作为骨架的材质，在基板上形成与上述透明导电膜的形成区域相对应的围堰的工序；用液滴喷出法在由上述围堰划分的区域内配置含有透明导电性微粒子的第1功能液的工序；干燥处理上述第1功能液而作成第1层膜的工序；用液滴喷出法在上述第1层膜上配置含有金属化合物的第2功能液的工序；和一起烧成上述第1层膜和第2功能液，形成由上述第1层膜和埋住该第1层膜中的空隙的金属氧化物构成的透明导电层的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社，未经精工爱普生株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610084872.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：聚苯乙烯泡沫铸造消失模
- 下一篇：含铂类化合物和细胞毒药物的抗癌缓释注射剂
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
