[发明专利]半导体制造方法

摘要

在对具有低介电常数层的半导体器件进行的非接触划片工艺中，如下减少或防止了层中诸如有缺陷形状或变色之类的较差外观的发生。在形成于半导体晶片的主表面上的层间绝缘层中形成低介电常数层。从晶片的背面将激光束聚焦在晶片的内部，以便选择性地形成改型区域。以使得接触低介电常数层或部分地进入低介电常数层的方式形成每个改型区域。在该形成工艺中，用冷却元件对半导体晶片进行冷却。这减少或防止了由于激光束的热量而可能发生的低介电常数层的变色。

主权项

1.一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：(a)制备晶片，所述晶片具有在厚度方向上彼此相对的主表面和背表面；(b)在所述晶片的所述主表面上形成器件；(c)在所述晶片的所述主表面上形成具有低介电常数层的布线层；(d)通过从所述晶片的所述背表面沿着所述晶片的每个芯片的切割区域，将激光束聚焦在所述晶片的内部，形成在后续的晶片切割步骤中作为对于晶片和所述低介电常数层的分割起始点的改型区域；以及(e)通过以所述改型区域作为起始点切割所述晶片，将所述晶片划片成单独的芯片，其中在形成所述改型区域的所述步骤中对所述晶片进行冷却。