[发明专利]基于MOSFET工艺的硅基单电子器件结构及其制备方法无效
| 申请号： | 200610085390.2 | 申请日： | 2006-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1877798A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | 陈杰智;施毅;郑有炓;龙世兵;刘明 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汤志武;王鹏翔 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 硅基单电子器件结构的制备方法，以(100)晶向的表层硅SOI为衬底；低压化学气相沉积LPCVD在表层硅上依次淀积氮化硅、多晶硅、氮化硅，并对作为顶栅材料的多晶硅层进行磷离子注入掺杂；以电子束光刻EBL显影，感应耦合等离子体刻蚀将在氮化硅上图形转移到多晶硅层；用各向异性腐蚀液腐蚀形成硅的点接触的结构；以光学光刻开源漏注入窗口，注入窗口与顶栅略有重叠，经磷离子注入并热退火RTA；以等离子体化学气相沉积PECVD法在注入窗口沉积二氧化硅绝缘层；以光学光刻注入窗口上光刻接触窗口，以氢氟酸腐蚀去掉接触窗口中的二氧化硅；以光学光刻电极窗口并制备铝电极。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 mosfet 工艺 硅基单 电子器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅基单电子器件结构的制备方法，其特征是：以(100)晶向的表层硅SOI为衬底；低压化学气相沉积LPCVD在表层硅上依次淀积氮化硅、多晶硅、氮化硅，并对作为顶栅材料的多晶硅层进行磷离子注入掺杂；以电子束光刻EBL显影，感应耦合等离子体刻蚀将在氮化硅上图形转移到多晶硅层；以热氧化和湿法腐蚀将源漏区域与量子点连接处上方的多晶硅去除；以感应耦合等离子体刻蚀将图形进一步转移到表层硅；用各向异性腐蚀液腐蚀形成硅的点接触的结构；以光学光刻开源漏注入窗口，注入窗口与顶栅略有重叠，经磷离子注入并热退火RTA；以等离子体化学气相沉积PECVD法在注入窗口沉积二氧化硅绝缘层；以光学光刻注入窗口上光刻接触窗口，以氢氟酸腐蚀去掉接触窗口中的二氧化硅；以光学光刻电极窗口并制备铝电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
