[发明专利]基于纳米异质结构的非挥发性浮栅存储器无效
| 申请号： | 200610085590.8 | 申请日： | 2006-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1870299A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 施毅;闾锦;杨红官;张荣;濮林;韩平;顾书林;朱顺明;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/40;H01L27/115 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汤志武;王鹏翔 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于纳米晶粒的半导体非挥发性浮栅存储器，提出基于纳米异质结构的新型非挥发性浮栅存储器，一种基于纳米异质结构的非挥发性浮栅存储器，其包括：半导体衬底；在半导体衬底中掺杂形成源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方氧化形成隧穿氧化层；在隧穿氧化层上制备异质纳米结构；然后淀积控制氧化层和栅极；应用异质纳米结构的复合势垒作为浮栅存储单元。从而可以在编程时间基本不变的前提下，使存储时间显著增加，解决硅纳米晶粒浮栅存储器的编程时间与存储时间之间的矛盾，达到使纳米结构浮栅存储器既能快速擦写编程，又能长久存储。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 结构 挥发性 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种基于纳米异质结构的非挥发性浮栅存储器，其包括：半导体衬底；在半导体衬底中掺杂形成源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方氧化形成隧穿氧化层；在隧穿氧化层上制备异质纳米结构；然后淀积控制氧化层和栅极；其特征在于应用异质纳米结构的复合势垒作为浮栅存储单元。
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