[发明专利]AlGaN基共振增强单色紫外探测器结构和生长方法

摘要

AlGaN基共振增强单色紫外探测器结构：在蓝宝石衬底上设有厚度在50－2000nm的低温和高温GaN材料，GaN材料上分别设有15－80nm和15－100nm的5－50个周期的AlN/AlGaN多层结构的分布布拉格反射镜为底镜；在上述底镜上设有n－AlxGal－xN/i－GaN/p－AlxGal－xN结构的谐振腔：即设有20－80nm厚的高温n－AlxGal－xN，5－30nm厚的高温i－GaN吸收层，20－80nm厚的高温p－AlxGal－xN，Al组分x≥0.3作为探测器的谐振腔；最后是层厚分别为15－80nm和15－100nm的0－30个周期的AlN/AlGaN多层结构的分布布拉格反射镜即顶镜完成RCE紫外探测器结构。

主权项

1、AlGaN基共振增强单色紫外探测器结构：其特征是在蓝宝石衬底上设有厚度在50-2000nm的低温和高温GaN材料，GaN材料上分别设有15-80nm和15-100nm的5-50个周期的AlN/AlGaN多层结构的分布布拉格反射镜为底镜；在上述底镜上设有n-AlxGa1-xN/i-GaN/p-AlxGa1-xN结构的谐振腔：即设有20-80nm厚的高温n-AlxGa1-xN，5-30nm厚的高温i-GaN吸收层，20-80nm厚的高温p-AlxGa1-xN，Al组分x≥0.3作为探测器的谐振腔；最后是层厚分别为15-80nm和15-100nm的0-30个周期的AlN/AlGaN多层结构的分布布拉格反射镜即顶镜完成RCE紫外探测器结构。