[发明专利]蚀刻剂及用其制造互连线和薄膜晶体管基板的方法有效
| 申请号： | 200610086467.8 | 申请日： | 2006-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN1884618A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 朴弘植;金时烈;郑钟铉;申原硕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C23F1/16 | 分类号： | C23F1/16;C23F1/18;C23F1/26;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明披露了一种蚀刻剂、使用该蚀刻剂制造多层互连线的方法、以及使用该蚀刻剂制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法。用于由钼/铜/氮化钼组成的多层线的蚀刻剂包括：10－20wt％的过氧化氢、1－5wt％的有机酸、0.1－1wt％的基于三唑的化合物、0.01－0.5wt％的氟化合物、以及作为剩余物的去离子水。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 制造 互连 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于钼(Mo)/铜(Cu)/氮化钼(MoN)多层互连线的蚀刻剂，所述蚀刻剂包括：10wt％-20wt％的过氧化氢；1wt％-5wt％的有机酸；0.1wt％-1wt％的基于三唑的化合物；0.01wt％-0.5wt％的氟化合物；以及作为剩余物的去离子水。
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