[发明专利]类钻碳膜层的制作方法无效
| 申请号： | 200610086780.1 | 申请日： | 2006-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101096752A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 罗吉宗;郑健民 | 申请（专利权）人： | 大同股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/54;C23C14/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种类钻碳膜层的制作方法，主要是利用溅镀方式于基板表面生长一类钻碳膜层。本发明制作方法包括以下步骤：(a)提供一反应室，并且将一基板置入反应室内；(b)使反应室的压力低于10-6torr以下；(c)导入至少一含碳的气体于反应室内；以及(d)使用一石墨钯材以溅镀沉积一类钻碳膜层于基板表面。且，本发明所制作的类钻碳膜层具有片状结构特征，并且于基板表面排列成一花瓣图案。由于本发明类钻碳膜的片状结构的高度约为微米级，片状结构的厚度约为纳米级，所以本发明类钻碳膜的片状结构具有高的高宽比，即可具有很良好的场发射增强因子。 | ||
| 搜索关键词： | 类钻碳膜层 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种类钻碳膜层的制作方法，包括以下步骤：(a)提供一反应室，并且将一基板置入该反应室内；(b)使该反应室的压力低于10-6torr以下；(c)导入至少一含碳的气体于该反应室内；以及(d)使用一石墨钯材以溅镀沉积一类钻碳膜层于该基板表面；其中，该类钻碳膜层具有片状结构，该类钻碳膜层的片状结构排列于该基板表面，形成一花瓣图案。
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