[发明专利]基板处理方法、计算机可读记录介质以及基板处理装置无效
| 申请号： | 200610087187.9 | 申请日： | 2006-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1881542A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 石川拓 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;C23C16/26;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王怡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于形成介电常数更低且耐热性好的无定形碳的绝缘膜。在本发明的绝缘膜形成装置(32)中，向处理容器(50)内的等离子体生成区域(R1)供应Ar气作为等离子体生成用的气体，并向基板(W)侧的成膜区域(R2)供应具有多重键的丁炔气体作为原料气体。在不向基板(W)施加偏置电压的状态下，从径向线缝隙天线(62)向处理容器(50)内供应微波。由此，在等离子体生成区域(R1)中生成等离子体，通过所述等离子体使得成膜区域(R2)的丁炔气体活性化，从而在基板(W)上形成无定形碳的绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 计算机 可读 记录 介质 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理方法，其特征在于，向容纳了基板的处理容器内供应具有多重键的碳氢化合物气体，在该处理容器内生成等离子体，从而在所述基板上形成无定形碳的绝缘膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610087187.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
