[发明专利]具有氮化硅－氧化硅介电层的非挥发性记忆元件有效
| 申请号： | 200610087295.6 | 申请日： | 2006-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1909250A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊;徐子轩;吕函庭 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/51;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种非挥发性记忆胞包括半导体基底、位于部分半导体基底中的源极区、位于部分半导体基底中的汲极区以及位于部分半导体基底中的井区。非挥发性记忆胞还包括位于半导体基底上的第一载子穿隧层、位于第一载子穿隧层上的电荷储存层、位于电荷储存层上的第二载子穿隧层以及位于第二载子穿隧层上的导体控制闸极。特别的是，源极区与汲极区之间具有一间隔，井区则至少围绕部分源极区与汲极区。在一实施例中，第二载子穿隧层在抹除操作时提供电洞穿隧，且其包括至少一介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 氮化 氧化 硅介电层 挥发性 记忆 元件 | ||
【主权项】：
1、一种非挥发性记忆胞，其特征在于其包括：一半导体基底；一源极区，形成于部分该半导体基底中；一汲极区，形成于部分该半导体基底中，且与该源极区相邻；一井区，形成于部分该半导体基底中，且与该源极区与该汲极区相邻；一第一载子穿隧层，形成于该半导体基底上；一电荷储存层，形成于该第一载子穿隧层上；一第二载子穿隧层，形成于该电荷储存层上；以及一导体控制闸极，形成于该第二载子穿隧层上。
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