[发明专利]一种用于锗晶片的抛光液及其制备方法无效
| 申请号： | 200610087601.6 | 申请日： | 2006-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN101081965A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 仲跻和 | 申请（专利权）人： | 天津晶岭电子材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C09G1/14 |
| 代理公司： | 国嘉律师事务所 | 代理人： | 高美岭 |
| 地址： | 300385天津市天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种用于锗晶片的抛光液，由磨料、表面活性剂、pH值调节剂、螯合剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为：磨料10.0％～50.0％；表面活性剂0.1％～1.0％；pH值调节剂1.0％～5.0％；螯合剂0.1％～1.0％；去离子水为余量；抛光液的pH值范围为8～12，粒径为15nm～100nm。所述抛光液的制备方法是：首先将制备抛光液的各种组分分别进行过滤净化处理，然后在千级净化室的环境内，将各种组分在真空负压的动力下，通过质量流量计输入容器罐中并充分搅拌，混合均匀即可。本发明的优点是：抛光速率快，平坦度好；粒径小，晶片表面损伤小；抛光液制备简单，容易操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 晶片 抛光 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于锗晶片的抛光液，其特征在于：由磨料、表面活性剂、PH值调节剂、螯合剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为：磨料10.0％～50.0％；表面活性剂0.1％～1.0％；PH值调节剂1.0％～5.0％；螯合剂0.1％～1.0％；去离子水为余量；抛光液的PH值范围为8～12，粒径为15nm～100nm。
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