[发明专利]微结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200610087708.0 | 申请日： | 2006-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1872657A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 山口真弓;泉小波 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 传统上形成微机械的微结构是用硅晶片作为主体形成的。考虑到这一点，本发明提供微结构制造方法，其中微结构是在绝缘衬底上形成的。本发明提供的微结构包括含多晶硅的层，该多晶硅是以金属元素用热晶化或激光晶化而晶化的，且该层包括在其上或其下的空间。这样的多晶硅可在绝缘表面上形成并具有高强度，因此，可以用作微结构。作为结果，提供了在绝缘衬底上形成的微结构或提供有微结构的微机械。 | ||
| 搜索关键词： | 微结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微结构，包括：在绝缘表面上提供的第一层；和包含在所述第一层上提供的含多晶硅的第二层；和所述第一层和第二层之间的空间；其中所述多晶硅是用金属元素晶化的。
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