[发明专利]半导体结构及其制作方法

摘要

一种半导体结构及其制作方法。此结构包含混合晶向的半导体块，该半导体块具有不同晶向的第一和第二硅区。第一硅区直接在半导体块上，而第二硅区由介电区与半导体块物理隔离。第一和第二晶体管分别制作在第一和第二硅区上。再者，第一和第二掺杂防放电结构也制作在半导体块上，其中的第一掺杂防放电结构防止第一晶体管在等离子体工艺期间发生放电损伤，而第二掺杂防放电结构防止第二晶体管在等离子体工艺期间发生放电损伤。在第一和第二晶体管正常工作期间，此第一和第二防放电结构的行为就如同介电区一样。

主权项

1.一种半导体结构，包括：(a)半导体块，包括第一晶向的第一半导体材料；(b)半导体块上的半导体区，其中该半导体区由介电区与半导体块物理隔离，及其中该半导体区包括第二晶向的第二半导体材料，第二晶向与第一晶向不同；(c)制作在半导体区上的第一半导体晶体管，其中第一半导体晶体管含有(i)第一和第二源/漏(S/D)区，(ii)在第一和第二S/D区之间的沟道区，(iii)在沟道区上的栅介电区，以及(iv)在栅介电区上的栅区，它由栅介电区与沟道区电绝缘；以及(d)防放电结构，与半导体块直接物理接触，并与第一半导体晶体管的第一电节点电连接；其中第一半导体晶体管的第二电节点与半导体块电连接，及其中第一和第二电节点在第一半导体晶体管内由栅介电区彼此电绝缘。