[发明专利]铁电存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供电特性好、性能高的铁电存储器件。具有半导体基板(11)、第1绝缘膜(30)、贯穿第1绝缘膜的多个第1及第2栓塞(34)及(36)、导电性氢阻挡膜(32)、铁电电容器结构体(40)、覆盖铁电电容器结构体的第1绝缘性氢阻挡膜(41)、第2绝缘膜(43)、在第2绝缘膜上延伸的局部布线(45)、覆盖局部布线的第2绝缘性氢阻挡膜(47)、第3绝缘膜(50)、贯穿第3绝缘膜并与导电性氢阻挡膜连接的第3栓塞(52)、在第3绝缘膜上延伸的第1布线层(54)。

主权项

1.一种铁电存储器件，其特征在于，具有：半导体基板，该半导体基板具有存储单元阵列区域和逻辑电路区域；第1绝缘膜，该第1绝缘膜设置在上述存储单元阵列区域及上述逻辑电路区域上；多个第1栓塞，这些第1栓塞在上述存储单元阵列区域上贯穿上述第1绝缘膜；多个第2栓塞，这些第2栓塞在上述逻辑电路区域上贯穿上述第1绝缘膜；多个导电性氢阻挡膜，这些导电性氢阻挡膜在上述第1绝缘膜上分别覆盖多个上述第1栓塞的顶端；铁电电容器结构体，该铁电电容器结构体设置在上述存储单元阵列区域内的多个上述导电性氢阻挡膜中的一部分上，由下部电极、铁电层及上部电极依次层叠而形成；第1绝缘性氢阻挡膜，该第1绝缘性氢阻挡膜设置在上述存储单元阵列区域的上述第1绝缘膜上，覆盖了上述铁电电容器结构体及上述导电性氢阻挡膜，具有露出上述上部电极一部分的第1开口部和露出上述导电性氢阻挡膜一部分的第2开口部；第2绝缘膜，该第2绝缘膜设置在上述第1绝缘性氢阻挡膜上，具有闭环状地露出上述第1绝缘性氢阻挡膜的端部而作为露出部、并与上述第1开口部连通的第3开口部及与上述第2开口部连通的第4开口部；多个局部布线，这些局部布线在上述第2绝缘膜上延伸，连接从上述第3开口部露出的上述上部电极和从上述第4开口部露出的上述导电性氢阻挡膜、上述上部电极之间以及上述导电性氢阻挡膜之间；第2绝缘性氢阻挡膜，该第2绝缘性氢阻挡膜覆盖上述露出部、多个上述局部布线、上述第2绝缘膜，设置在上述存储单元阵列区域上；第3绝缘膜，该第3绝缘膜覆盖上述第2绝缘性氢阻挡膜及上述逻辑电路区域；第3栓塞，该第3栓塞设置在上述逻辑电路区域上，贯穿上述第3绝缘膜，与上述第2栓塞电连接；第1布线层，该第1布线层在上述第3绝缘膜上延伸，包含与上述第3栓塞连接的多个布线部。