[发明专利]氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法

摘要

提供一种制造10⁶cm^－2以下低错位GaN单结晶的方法，其特征是气相成长的成长表面不是平面状态，形成具有三维的小面结构，保持小面结构，通过在不埋没小面结构下进行成长，可降低错位，进行单晶体氮化镓的结晶成长。

主权项

1.一种单晶GaN的晶体生长方法，当在底层基板上，根据气相生长，进行GaN厚层的晶体生长时，特征是，气相生长的生长表面不是平面状态，而是具有由三维的小面结构形成的凹坑，在不埋没具有小面结构的凹坑下进行生长，在晶体生长的同时，小面上的位错向凹坑小面的棱线移动，再进一步向棱线下方移动，在小面汇集的多重点的凹坑底部上汇集位错，在凹坑底部之下形成位错集合的线状缺陷，然后在由数个小面构成的凹坑底部的多重点上集合位错，在多重点之下，相对于平均的生长面，形成几乎垂直的线状缺陷集合部，将位错汇集线状缺陷中，以此降低线状缺陷以外区域的位错。