[发明专利]半导体存储器及其刷新时钟信号产生器无效

专利信息
申请号: 200610087787.5 申请日: 2006-06-07
公开(公告)号: CN1913036A 公开(公告)日: 2007-02-14
发明(设计)人: 徐恩圣 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C11/406 分类号: G11C11/406
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 黄小临;王志森
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供了一种半导体存储器及其刷新时钟信号产生器。该半导体存储器的刷新时钟信号产生器包括:电压产生器,用于接收电源电压以产生低于电源电压的电压;环形振荡器,其响应于自刷新控制信号而被使能,包括奇数数量的至少三个反相器,当半导体存储器的温度高时具有第一电流消耗,当所述温度低时具有第二电流消耗,并且产生其周期随温度降低而增加的时钟信号;电平移动器,用于将具有该低于电源电压的电压的时钟信号转换为具有电源电压的电平的刷新时钟信号。
搜索关键词: 半导体 存储器 及其 刷新 时钟 信号 产生器
【主权项】:
1.一种半导体存储器的刷新时钟信号产生器,包括:电压产生器,用于接收电源电压以产生低于所述电源电压的电压;环形振荡器,其响应于自刷新控制信号而被使能,包括奇数数量的至少三个反相器,当所述半导体存储器的温度高时具有第一电流消耗,当所述温度低时具有第二电流消耗,并且产生其周期随温度降低而增加的时钟信号;电平移动器,用于将具有所述低于电源电压的电压的时钟信号转换为具有电源电压的电平的刷新时钟信号。
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