[发明专利]半导体存储器及其刷新时钟信号产生器无效
申请号: | 200610087787.5 | 申请日: | 2006-06-07 |
公开(公告)号: | CN1913036A | 公开(公告)日: | 2007-02-14 |
发明(设计)人: | 徐恩圣 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 黄小临;王志森 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种半导体存储器及其刷新时钟信号产生器。该半导体存储器的刷新时钟信号产生器包括:电压产生器,用于接收电源电压以产生低于电源电压的电压;环形振荡器,其响应于自刷新控制信号而被使能,包括奇数数量的至少三个反相器,当半导体存储器的温度高时具有第一电流消耗,当所述温度低时具有第二电流消耗,并且产生其周期随温度降低而增加的时钟信号;电平移动器,用于将具有该低于电源电压的电压的时钟信号转换为具有电源电压的电平的刷新时钟信号。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储器 及其 刷新 时钟 信号 产生器 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储器的刷新时钟信号产生器,包括:电压产生器,用于接收电源电压以产生低于所述电源电压的电压;环形振荡器,其响应于自刷新控制信号而被使能,包括奇数数量的至少三个反相器,当所述半导体存储器的温度高时具有第一电流消耗,当所述温度低时具有第二电流消耗,并且产生其周期随温度降低而增加的时钟信号;电平移动器,用于将具有所述低于电源电压的电压的时钟信号转换为具有电源电压的电平的刷新时钟信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610087787.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:压电双晶片驱动的精密转动机构及其装置
- 下一篇:解酒保健组合物及其生产方法