[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件，其抑制了由在半导体膜的沟道区的端部中的栅绝缘膜的断开或薄的厚度导致的半导体膜和栅极之间的短路和漏电流，以及该半导体器件的制造方法。多个薄膜晶体管，每一个具有连续地提供于衬底上方的半导体膜、经由栅绝缘膜提供于半导体膜上方的导电膜、不与导电膜重叠提供于半导体膜中的源和漏区，和存在于导电膜下方和源和漏区之间的提供于半导体膜中的沟道区。且杂质区提供于不与导电膜重叠的半导体膜中，且与源和漏区相邻地提供。而且，导电膜提供于沟道区和半导体膜的与沟道区相邻提供的区域的上方。

主权项

1.一种半导体器件，包括：在衬底上方的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中第一薄膜晶体管包括：第一源区和第一漏区，在衬底上方的半导体膜中；第一沟道区，在半导体膜中的第一源区和第一漏区之间；在半导体膜上方的绝缘膜；和第一导电膜，在第一沟道区上方，其间插入有绝缘膜，其中第二薄膜晶体管包括：在半导体膜中的第二源区和第二漏区；第二沟道区，在半导体膜中的第二源区和第二漏区之间；绝缘膜，在半导体膜上方；和第二导电膜，在第二沟道区上方，其间插入有绝缘膜，且其中半导体膜还包括：第一区，其形成于第一导电膜下方并与第一沟道区相邻；包括第一杂质元素的第二区，其不形成于第一导电膜下方并与第一源区和第一漏区相邻形成；第三区，其形成于第二导电膜下方并与第二沟道区相邻；和包括第二杂质元素的第四区，其不形成于第二导电膜下方并与第二源区和第二漏区相邻形成。