[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610087842.0 | 申请日： | 2006-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN1870295A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 安武信昭 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种能够采用硅锗作为pMOS源/漏扩展区、在源/漏上形成硅化物层、以及实现高速工作的半导体器件，包括经由绝缘体形成在半导体衬底的第一导电类型区域内的栅电极；形成在栅电极的侧面上的第一侧壁；形成在第一侧壁的侧面上的第二侧壁；形成在第二侧壁下方，包括第二导电类型的第一杂质层，且包含锗的半导体层；形成在第二侧壁外面的区域内，且包含浓度高于第一杂质层的第二导电类型的杂质的第二杂质层；以及形成在第二杂质层上的硅化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，此半导体器件包括：栅电极，此栅电极经由绝缘体形成在半导体衬底的第一导电类型区域内；第一侧壁，此第一侧壁形成在栅电极的侧面上；第二侧壁，此第二侧壁形成在第一侧壁的侧面上；半导体层，此半导体层形成在第二侧壁下方，包括第二导电类型的第一杂质层，且包含锗；第二杂质层，此第二杂质层形成在第二侧壁外面的区域内，且包含浓度高于第一杂质层的第二导电类型的杂质；以及硅化物层，此硅化物层形成在第二杂质层上。
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