[发明专利]嘧啶并嘧啶衍生物,使用嘧啶并嘧啶衍生物的有机薄膜晶体管和制造该晶体管的方法

摘要

本发明提供了嘧啶并嘧啶衍生物，使用嘧啶并嘧啶衍生物的有机薄膜晶体管和制造该晶体管的方法。本发明还提供了嘧啶并嘧啶衍生物的结构和合成实例。所述嘧啶并嘧啶衍生物可以是嘧啶并嘧啶低聚噻吩衍生物，其中具有p－型半导体特征的低聚噻吩可以结合至大体位于分子中心的具有n－型半导体特征的嘧啶并嘧啶上，由此同时表现出p－型和n－型半导体特征。当应用于制造电子器件如有机薄膜晶体管时，可以在室温或环境温度下旋涂所述嘧啶并嘧啶衍生物。使用该嘧啶并嘧啶衍生物的有机薄膜晶体管可提供较高的电荷载流子迁移率和/或较低的关闭状态泄漏电流。

主权项

1.嘧啶并嘧啶衍生物，其由下面的式1-9之一表示：其中X₁、X₂、X₃和X₄独立地为单键、-O-、-S-、-NR_a-、-CR_aR_b-、-COR_a-、POR_a-或-PR_a-；另外，其中R_a和R_b独立地为氢原子，或C_1-30烷基、C_6-30芳基或C₂-C₃₀杂芳基；以及R₁、R₂、R₃和R₄独立地为取代或未取代的C_6-30芳族基团，取代或未取代的C_2-30杂芳族基团或包括其组合的一价有机基团。