[发明专利]高纯砷的生产方法及其设备无效
申请号: | 200610088149.5 | 申请日: | 2006-06-30 |
公开(公告)号: | CN101096726A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
发明(设计)人: | 杨华民 | 申请(专利权)人: | 杨华民 |
主分类号: | C22B30/04 | 分类号: | C22B30/04;C22B9/02 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李海燕 |
地址: | 650000云南省*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 高纯砷的生产方法及其设备。涉及一种半导体基础材料超高纯α型砷的生产方法及其专用设备。本发明的工艺主要采取一次真空升华和两次氢气氛升华,制得纯度为99.99999%的砷。本发明的设备,按照高纯砷加工步骤,由真空升华器和氢气氛升华器两部分组成,其中真空升华器包括加热器A、加热器B、真空罐、水套、坩埚、阻隔板、锥形钛冷凝器、低沸收集板、真空泵,氢气氛升华器包括氢气输入装置、氩气输入装置、套管、石英管A、石英管B、石英管C、加热器、洗气装置、喷淋装置。本发明的生产方法及配套的真空升华器、氢气氛石英升华器,成本低,投资少、质量好。解决了高纯砷生产投资规模大的问题。经氢气氛升华除去砷中的杂质,得到7N超高纯砷,且无污染。 | ||
搜索关键词: | 高纯 生产 方法 及其 设备 | ||
【主权项】:
1、一种高纯砷的生产方法,其特征在于,有以下步骤:1)、将原料砷置入坩埚中,一锥形筒的筒底与坩埚连接,在坩埚与锥形筒连接部位设有开有若干小孔的阻隔板,在锥形筒的上端设一开有大孔的低沸收集板;2)、将连接起来的坩埚、锥形筒、阻隔板、低沸收集板置入真空罐,真空罐对应锥形筒上端设有水套,调整罐内压力为10-1~2*101Pa,往真空罐的水套中通入常温的循环水;对锥形筒部位加温,至250~350℃,保温;接着,对坩埚部位加温,至280~400℃,保温;持续约7.5~10小时,坩埚上部锥形筒的内壁上凝结有砷,制得纯度为99.99%的砷;3)、将上述砷取出,置入一石英管A,将该石英管A置入一套管,套管中与石英管A对接石英管B,再与石英管B对接石英管C,套管两端设进出气口,通过进气口输入氩气,排除管中的空气;再通过进气口输入氢气,将石英管A加热至550~650℃,将石英管B加热至400~500℃,将石英管C加热并保持在250~350℃;此时,石英管A内的物质形成砷蒸气及微量杂质蒸气,沸点高于A管温度的杂质留在A管内,砷蒸气及微量杂质蒸气进入石英管B;在石英管B内杂质蒸气中的硒与氢反应形成硒化氢,硫与氢反应形成硫化氢;砷蒸气、硒化氢、硫化氢继续进入石英管C,在石英管C的内壁上冷凝得纯度为99.9999%的砷;硒化氢、硫化氢及含有微量硫的杂质蒸气从出气口排出,由出气口上的出气管进入洗气装置内的氢氧化钠溶液中,进行中和反应;洗气装置连接淋洗装置,残留在尾气中的β砷在淋洗装置内被沉淀,淋洗装置的出气口排出洁净氢气;4)、将上述砷取出,按步骤3)的过程,再加工一遍,除石英管A加热温度不变外,石英管B加热至700~900℃,石英管C加热并保持在300~400℃。
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