[发明专利]基于RbAg4I5薄膜的非挥发记忆元件及其制备方法无效
| 申请号： | 200610088390.8 | 申请日： | 2006-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN1889285A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 刘治国;梁雪飞;陈涌 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/22;G11C11/56 |
| 代理公司： | 南京苏高专利事务所 | 代理人： | 阙如生 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于电阻开关效应的非挥发相变记忆元件的结构设计和制备方法，将固体电解质RbAg4I5膜(3)夹在反应电极(4)和非反应电极(1)之间构筑成一个微型三明治结构，这就是一个记忆单元。该记忆单元连同衬底(7)和绝缘层(2)共有5层。在衬底(7)上沉积一层非反应电极(1)，在非反应电极(1)上沉积一层绝缘层(2)，在其中部刻蚀一个微孔(5)，露出非反应电极(1)，绝缘层(2)上再沉积一层RbAg4I5薄膜(3)，其上再沉积一层反应电极(4)，在非反应电极(1)和反应电极(4)上分别接出引线(6)。该记忆元件具有体积小、结构简单、非挥发、可快速读写、工作电压低、低能耗、无运动部件、非破坏性读出等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 rbag sub 薄膜 挥发 记忆 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种基于固体电解质RbAg4I5的非挥发相变记忆元件，其特征在于该记忆元件的基本构型为三明治结构，即用一层固体电解质RbAg4I5薄膜(3)夹在反应电极膜(4)与非反应电极膜(1)之间构筑而成，该三明治结构位于衬底材料(7)上，在非反应电极膜(1)和固体电解质RbAg4I5薄膜(3)之间有一层绝缘层(2)，在绝缘层(2)上刻有微孔(5)，露出非反应电极膜(1)，并使RbAg4I5薄膜(3)与非反应电极膜(1)紧密接触，在RbAg4I5薄膜(3)上有一层反应电极膜(4)，并在反应电极膜(4)和非反应电极膜(1)上分别接出引线(6)。
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