[发明专利]半导体IC、具有嵌入半导体IC的模块以及它们的制造方法无效
| 申请号： | 200610088521.2 | 申请日： | 2006-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN1873980A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 川畑贤一;阿部寿之 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/367;H01L23/31;H01L21/82;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体IC、具有嵌入半导体IC的模块以及它们的制造方法。一种半导体IC包括：主体，其主表面上形成有预定电路；金属层，其选择性设置在该半导体IC主体的除了周边以外的基本上整个背面上。根据本发明，设置在该半导体IC主体上的金属层可以很大程度地散热。因为该金属层是选择性地设置的，所以即使在通过研磨使半导体IC主体变薄时，也不容易在晶片状态下出现翘曲。该金属层选择性地设置在半导体IC的背面的中心处。因此，无需对半导体晶片和厚金属的叠层进行切割。结果，可以有效地防止断面上的碎裂。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 ic 具有 嵌入 模块 以及 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体集成电路，其包括：主体，其主表面上形成有预定电路；以及金属层，其选择性地设置在所述主体的背面的中心处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
