[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

本发明的目的是提供一种能够形成微细电路图形的半导体元件及其制造方法。本发明的半导体元件的制造方法的特征是包括：通过蚀刻来除去形成在第2区域(20)上的掩模材料(50)的步骤；在第1凸部(10B)的相对的一组的两个侧面上形成第1栅极绝缘膜(100B)和(100C)，同时在第2凸部(10A)的上表面形成第2栅极绝缘膜(100A)的步骤；在元件分离绝缘膜(70)、掩模材料(50)以及第2栅极绝缘膜(100A)上淀积第1栅电极材料(110)的步骤；以及把形成在第1区域(30)上的掩模材料(50)、和形成在第2区域(20)上元件分离绝缘膜(70)作为终止层，对第1栅电极材料(110)实施平坦化的步骤。

主权项

1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在半导体基板上淀积掩模材料；通过对上述掩模材料进行图形形成，进一步对上述半导体基板的表面部分进行蚀刻而形成槽，从而在第1区域上形成第1凸部并且在第2区域上形成具有比上述第1凸部宽的宽度的第2凸部；利用元件分离绝缘膜填埋上述槽；通过对形成在上述第1区域上的上述元件分离绝缘膜进行蚀刻，除去其规定量；通过对形成在上述第2区域上的上述掩模材料进行蚀刻，将其除去；在上述第1凸部中的相对的1组的两个侧面上形成第1栅极绝缘膜，并且在上述第2凸部的上表面形成第2栅极绝缘膜；在上述元件分离绝缘膜、上述掩模材料以及上述第2栅极绝缘膜上淀积第1栅电极材料；把形成在上述第1区域上的上述掩模材料、和形成在上述第2区域上的上述元件分离绝缘膜作为终止层，将上述第1栅电极材料平坦化；在上述掩模材料、上述第1栅电极材料以及上述元件分离绝缘膜上淀积第2栅电极材料；通过对上述第1以及第2栅电极材料进行图形形成，在上述第1区域上形成第1栅电极，并且在上述第2区域上形成第2栅电极。