[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200610088624.9 | 申请日： | 2006-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1873950A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 楠本直人;鹤目卓也 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/336;H01L27/02;H01L29/786;G06K19/077 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种低成本和薄厚度的薄膜集成电路，不像常规玻璃基板或单晶硅基板，该薄膜集成电路适于大规模生产，以及一种薄膜集成电路装置或具有该薄膜集成电路的IC芯片的结构和工艺。半导体装置的制造方法包括以下步骤：在硅基板的一个表面上形成第一绝缘薄膜、在该第一绝缘薄膜上形成至少具有两个薄膜集成电路的层、形成覆盖该具有薄膜集成电路的层的树脂层、形成覆盖该树脂层的薄膜、研磨硅基板的形成具有薄膜集成电路的层的一个表面的背面，并抛光硅基板的研磨的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：在硅基板的第一表面上形成第一绝缘膜；在该第一绝缘膜上形成包括薄膜晶体管的层；在该层上形成薄膜；在形成该薄膜之后，研磨硅基板的第二表面；以及在研磨之后，抛光硅基板的第二表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
