[发明专利]非易失性存储单元的编程方法无效
| 申请号： | 200610088628.7 | 申请日： | 2006-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1937081A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | M·格茨;R·斯罗维克;N·本－阿里;G·库拉托洛 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技弗拉斯有限责任两合公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘春元;梁永 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提供用于编程能够存储至少一个信息位的电可擦除可编程只读存储单元的方法和设备。所述存储单元具有电荷俘获区。根据本发明，在第一时间周期期间，固定的电压被施加到存储单元，以将电荷注入并且存储在该电荷俘获区中。这个时间周期后面是第二时间周期期间，在该第二时间周期期间，恒定电流被施加到存储单元以完成所述编程步骤。通过监控所述第二时间周期期间的电压中的变化，最终的阈值电压的监控能够直接在编程期间进行。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 单元 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.编程能够存储至少一个信息位的电可擦除可编程只读存储单元的方法，所述存储单元具有电荷俘获区，所述方法包括：通过将电荷注入并且存储在电荷俘获区中来编程所述信息位，因此在第一时间周期期间将固定的电压施加到所述存储单元，该第一时间周期后面是第二时间周期，在所述第二时间周期期间将恒定电流施加到所述存储单元。
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