[发明专利]用于非易失性半导体存储单元的检测方案无效
| 申请号： | 200610088716.7 | 申请日： | 2006-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1892905A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | M·雷代利;L·德阿姆布洛吉 | 申请（专利权）人： | 秦蒙达股份公司;秦蒙达闪存有限责任两合公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/06;G11C16/26 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢江;陈景峻 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供一种检测非易失性半导体存储单元的状态的方法。当改变单元的栅极电压时，将存储单元电流以及从至少一个基准单元产生的比较电流与预定基准电流进行比较。检测放大器检测所述电流中的哪一个首先达到预定基准电流。达到基准电流的顺序指示存储单元的状态。在本发明的一个优选实施方案中，比较电流作为已擦除基准单元电流和已编程基准单元电流的平均值而产生。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 非易失性 半导体 存储 单元 检测 方案 | ||
【主权项】：
1.一种检测非易失性半导体存储单元的状态的方法，该非易失性半导体存储单元由具有栅极、漏极和源极的晶体管来表示，所述方法包括：a)设置预定基准电流；b)设置至少一个由具有栅极、漏极和源极的晶体管来表示的基准单元；c)设置由至少一个基准单元的单元电流组成的比较电流；d)改变施加到所述存储单元和所述至少一个基准单元的栅极上的电压；e)比较所述存储单元的存储单元电流与预定基准电流，并且同时比较所述基准单元的基准单元电流与预定基准电流；以及f)检测当改变所述栅极电压时所述存储单元电流和所述基准单元电流中的哪一个首先达到所述预定基准电流，达到预定基准电流的顺序指示存储单元的状态。
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