[发明专利]一种ZnO:Zn薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200610088981.5 | 申请日： | 2006-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1888128A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 张俊英;丛亮;史强;王天民 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/26 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 关玲;成金玉 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种ZnO:Zn薄膜的制备方法，将ZnO粉末装在氧化铝或石英舟内，置于管式炉中煅烧，管式炉内填充N2和H2混合的弱还原性气体，管内的温度调节在700～800℃之间。在管式炉的排气端保温区边缘，放置一装置，此装置能够夹持基片，而且此装置可以流通气体或水等而获得合适的温度。当炉内的ZnO蒸发后沉积在夹具上的较冷的基片上，关闭管式炉，冷却后即可以获得在紫外线照射下发射明亮绿色光的ZnO:Zn薄膜。本发明提供了一种制备发射绿色光的ZnO:Zn薄膜的简单制备工艺，获得的薄膜与衬底的结合非常牢固。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno zn 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种ZnO:Zn薄膜的制备方法，其特征在于：将ZnO粉末装在氧化铝或石英舟内，置于管式炉中煅烧，管式炉内填充N2和H2混合的还原性气体，管内的温度调节在700～800℃之间；在管式炉的排气端保温区边缘，放置能够夹持基片的装置，当炉内的ZnO蒸发后沉积在夹具上的较冷的基片上，关闭管式炉，冷却后即可以获得在紫外线照射下发射明亮绿色光的ZnO:Zn薄膜。
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