[发明专利]金属基带上连续生长的多层立方织构隔离层及制备方法有效
| 申请号： | 200610089048.X | 申请日： | 2006-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101117700A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 杨坚;刘慧舟;张华;屈飞;周其;古宏伟 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种金属基带上连续生长的多层立方织构氧化物隔离层，是在具有立方织构的金属基带上依次有氧化钇膜、钇稳定二氧化锆膜、二氧化铈膜三层膜。一种连续生长多层立方织构氧化物隔离层的制备方法，包括：(1)将金属基带清洁处理；(2)将金属基带缠绕放带轮和收带轮上；(3)以Y金属为溅射靶材，预溅射；(4)使金属基带经过沉积区，溅射沉积氧化钇；(5)以Zr－Y金属为溅射靶材，预溅射；(6)使金属基带经过沉积区，溅射沉积钇稳定二氧化锆；(7)以金属Ce为溅射靶材，预溅射；(8)使金属基带经过沉积区，溅射沉积二氧化铈。该方法以水气代替氧气作为反应气体。制得的多层隔离层具有单一立方织构，满足外延生长YBCO涂层的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 基带 连续 生长 多层 立方 隔离 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属基带上连续生长的多层立方织构隔离层，其特征在于：是在具有立方织构的金属基带上生长多层立方织构氧化物隔离层，该隔离层在金属基带上依次由氧化钇膜、钇稳定二氧化锆膜、二氧化铈膜三层膜组成。
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