[发明专利]一种聚焦离子束修改集成电路的方法及集成电路

摘要

本发明公开了一种聚焦离子束修改集成电路的方法，包括定位步骤、挖洞步骤、沉积步骤和将集成电路的地线引脚接地的步骤。在定位步骤中，定位地线通孔和电路线通孔的位置；在挖洞步骤和沉积步骤中，在挖地线通孔前，在集成电路的顶层上地线通孔所在区域镀第一金属镀层；挖地线通孔时，在地线通孔的位置从集成电路的顶层向下挖地线通孔到集成电路内的地线处，并在地线通孔中沉积金属至第一金属镀层；在挖电路线通孔前，在集成电路的顶层上电路线通孔所在区域镀与第一金属镀层导电连接的第二金属镀层；挖电路线通孔时，在电路线通孔的位置从集成电路的顶层向下挖电路线通孔到集成电路内电路线处。本发明同时公开了一种采用聚焦离子束修改的集成电路。

主权项

1、一种聚焦离子束修改集成电路的方法，包括定位步骤、挖洞步骤和沉积步骤，其特征在于：还包括将集成电路的地线引脚接地的步骤，并且，在定位步骤中，定位集成电路的地线通孔的位置，和电路线通孔的位置；然后在挖洞步骤和沉积步骤中，在挖地线通孔之前，先在集成电路的顶层上所述地线通孔所在区域镀第一金属镀层；挖地线通孔时，在所述地线通孔的位置从集成电路的顶层向下挖地线通孔到集成电路内的地线处，并在所述地线通孔中沉积金属至所述第一金属镀层；在挖电路线通孔之前，先在集成电路的顶层上所述电路线通孔所在区域镀与所述第一金属镀层导电连接的第二金属镀层；挖电路线通孔时，在所述电路线通孔的位置从集成电路的顶层向下挖电路线通孔到集成电路内电路线处。