[发明专利]一种双工作模式有机场效应晶体管及制备方法

摘要

本发明涉及有机场效应晶体管技术领域，公开一种双工作模式有机场效应晶体管及制备方法。包括衬底、栅极电极、绝缘层、插入半导体层、主体半导体层和源电极和漏电极。方法包括栅极金属的沉积；绝缘层的沉积；插入半导体层的沉积及有机主体半导体材料的沉积；器件测试。本发明有机场效应晶体管可以通过控制插入半导体层的厚度来控制导电沟道的性质，可实现同一个有机场效应晶体管的耗尽型和增强型双模式同时操作。与其它方法相比，可利用同一工艺制备得到可控掺杂半导体沟道的有机场效应晶体管。易于制备构筑由同质结或异质结构成的耗尽型或双模式场效应晶体管。在有机效应晶体管的可控制备和有机半导体逻辑门和集成电路中有应用价值。

主权项

1、一种双工作模式有机场效应晶体管，其特征在于：结构其中：衬底，在衬底上嵌入电极引线；栅电极，该栅电极制作在衬底的一面，即在衬底上沉积和图案化栅电极，栅电极与电极引线导通；绝缘层，该绝缘层制作在栅电极的另一面；插入半导体层，该插入半导体层制作在绝缘层的另一面；主体半导体层，该主体半导体层制作在半导体层的另一面；漏电极和源电极，漏电极和源电极制作在主体半导体层的另一面。