[发明专利]利用深亚微米CMOS标准工艺实现的EEPROM电平转换电路及方法有效
| 申请号： | 200610089593.9 | 申请日： | 2006-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN1885435A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 邓志欣;廖怀林;李炎;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种利用深亚微米CMOS标准工艺实现的EEPROM电平转换电路及方法。该电平转换电路完全采用CMOS标准工艺参数，利用两对PMOS管与NMOS管对电压进行钳位，从而保证了电路中所有的MOS管栅漏电压差|Vgd|或栅源电压差|Vgs|均小于栅氧可靠性要求的安全电压值。与传统电平转换电路相比，该电路极大地增加MOS管栅氧可靠性；同时，该电路结构由于完全采用深亚微米CMOS标准工艺，可以更加适合嵌入式EEPROM电路并降低电路成本。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 微米 cmos 标准 工艺 实现 eeprom 电平 转换 电路 方法 | ||
【主权项】：
1、一种利用深亚微米CMOS标准工艺实现EEPROM的电平转换电路的方法，其步骤包括：在由PMOS管M1、M2与NMOS管M3、M4构成的双稳态电平转换电路中，在M1、M3间和M2、M4间分别增加一对PMOS管M5/M7和NMOS管M6/M8，M1-M8均采用深亚微米CMOS标准工艺下的I/O管参数，M5-M8栅接电压Vx用于电压钳位作用。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610089593.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：陶瓷结合剂磨具及其制造方法
- 下一篇：车辆用变速操作装置
