[发明专利]一种制备金属-四氰基对苯醌二甲烷纳米线的方法无效
申请号: | 200610089614.7 | 申请日: | 2006-07-06 |
公开(公告)号: | CN101100737A | 公开(公告)日: | 2008-01-09 |
发明(设计)人: | 刘辉彪;李玉良 | 申请(专利权)人: | 中国科学院化学研究所 |
主分类号: | C23C10/28 | 分类号: | C23C10/28 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 关畅 |
地址: | 100080北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了制备金属-四氰基对苯醌二甲烷纳米线的方法。本发明方法,是将装有TCNQ粉末和金属基片的石英管放置于管式炉中,沿TCNQ粉末到金属基片的方向持续通入保护气,然后,加热管式炉到120-150℃,冷却后在金属基片上得到金属-四氰基对苯醌二甲烷纳米线薄膜。本发明采用有机气固相反应的方法合成了大面积的有机电荷转移盐的纳米线阵列,方法简单,材料来源广泛;所得纳米线阵列具有优良的场发射性能,开启电压分别为2.58Vμm-1(AgTCNQ纳米线阵列)和3.13Vμm-1(CuTCNQ纳米线阵列),可以广泛应用于在场效应晶体管、场发射、太阳能电池、电开关、传感器、储氢等方面。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 金属 四氰基 苯醌 甲烷 纳米 方法 | ||
【主权项】:
1、一种制备金属-四氰基对苯醌二甲烷纳米线的方法,是将装有TCNQ粉末和金属基片的石英管放置于管式炉中,沿TCNQ粉末到金属基片的方向持续通入保护气,然后,加热管式炉到120-150℃,冷却后在金属基片上得到金属-四氰基对苯醌二甲烷纳米线薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C10-00 金属材料表面中仅渗入金属元素或硅的固渗
C23C10-02 .被覆材料的预处理
C23C10-04 .局部表面上的扩散处理,例如使用掩蔽物
C23C10-06 .使用气体的
C23C10-18 .使用液体,例如盐浴、悬浮液的
C23C10-28 .使用固体,例如粉末、膏剂的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C10-02 .被覆材料的预处理
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C23C10-28 .使用固体,例如粉末、膏剂的