[发明专利]一种多孔硅发光器件无效
| 申请号： | 200610089727.7 | 申请日： | 2006-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1889282A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 胡小龙;黄翊东;张巍;彭江得 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多孔硅发光器件，属于光电子技术领域。其特征在于，它利用表面等离子体波的Purcell效应增强了多孔硅的发光。通过在多孔硅层上形成表面等离子体波导，多孔硅中发出的光先耦合到表面等离子体波导的导模中去，然后再散射到自由空间中去。由于表面等离子体波导的导模的态密度很大，多孔硅的自发辐射被大大加强了，所以发光效率得以很大程度的提高，这使得多孔硅成为高效硅基发光器件在材料方面的有力候选，并且为光电集成、光互联等实际应用提供可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 发光 器件 | ||
【主权项】：
1、一种多孔硅发光器件，其特征在于，该发光器件是由一层金属薄膜和一层多孔硅发光层构成，所述金属薄膜作为表面等离子体波导并且附着在多孔硅上，所述金属薄膜为金、银以及合金的薄膜，其厚度限定在10～100nm，所述多孔硅是由任何一种通过电化学腐蚀的方法制备的硅的多孔发光材料。
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