[发明专利]一种硅纳米线阵列的制备方法

摘要

本发明涉及一种硅纳米线阵列的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。所述方法将硅片依次经过丙酮振荡清洗、酒精振荡清洗、酸性清洗液和标准清洗1号溶液处理；然后将质量百分比浓度范围为0.01％－0.9％的聚苯乙烯小球溶液用微量可调移液管滴到步骤1清洗干净的硅片表面，置于空气中自然晾干；再将排好聚苯乙烯小球阵列的硅片经过1－2分钟的氧气气氛反应离子刻蚀，之后在90℃－110℃保温1－6min，再用真空蒸镀仪往基底上沉积25－50nm厚的Ag膜；将沉积好Ag膜的样品浸入氢氟酸和过氧化氢腐蚀液中腐蚀4－30分钟。由于本制备方法简单，不需要复杂设备就能制备出大面积有序排布的硅纳米线阵列，因此成本低，适宜于规模化工业生产。

主权项

1、一种硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于：该方法采用反应离子刻蚀法使硅片表面的聚苯乙烯小球直径减小，所述方法依次按如下步骤进行：(1)硅片依次经过丙酮振荡清洗、酒精振荡清洗、酸性清洗液和标准清洗1号溶液处理，表面显示良好的亲水性；(2)将质量百分比浓度范围为0.01％-0.9％的聚苯乙烯小球溶液滴加到步骤1清洗干净的硅片表面，置于空气中自然晾干；(3)对硅片表面的聚苯乙烯小球进行1-2分钟的氧气气氛的反应离子刻蚀，使小球的直径减小；(4)用真空蒸镀仪往基底上沉积25-50nm厚的Ag膜；(5)将沉积好Ag膜的样品浸入H2O2+HF+H2O腐蚀液中处理4-30分钟。