[发明专利]有机薄膜晶体管、其制造方法、和包括其的平板显示器有效
申请号: | 200610089815.7 | 申请日: | 2006-05-24 |
公开(公告)号: | CN1870316A | 公开(公告)日: | 2006-11-29 |
发明(设计)人: | 徐旼彻;朴容佑;牟然坤 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/40;H01L29/786;H01L21/336 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种有机薄膜晶体管(OTFT)、一种制造这样的OTFT的方法、和包括这样的OTFT的有机电致发光(EL)显示器。所述OTFT具有由于使用氟基气体表面处理对应于沟道区的基底的部分以稳定沟道区而改善了的特性。所述方法包括:处理基底表面的预定部分;在未被表面处理的基底的部分上形成源电极和漏电极;形成半导体层以接触所述基底的表面处理过的部分;在所述基底上形成栅绝缘层;并且在所述栅绝缘层上形成栅极。所述基底使用例如CF4或C3F8的氟基气体进行等离子体表面处理。 | ||
搜索关键词: | 有机 薄膜晶体管 制造 方法 包括 平板 显示器 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管,包括:基底,包括接触沟道区的第一区、和不接触所述沟道区的第二区,其中所述第一区和第二区具有彼此不同的表面特性;源电极和漏电极,布置在第二区上;半导体层,包括接触所述基底的第一区的沟道区;栅极,布置在所述基底上;和栅极绝缘层,布置在源电极和漏电极与栅极之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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