[发明专利]在半导体衬底中蚀刻沟槽的方法无效
| 申请号： | 200610089856.6 | 申请日： | 2006-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN1855382A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 马丁·乌尔里希·古切;托马斯·黑希特;哈拉尔德·塞德尔;乌韦·鲁道夫;巴巴拉·洛伦茨;伊丽莎白·韦克曼 | 申请（专利权）人： | 亿恒科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种在半导体衬底中蚀刻沟槽的方法。更确切地说，本发明涉及一种蚀刻深沟槽的方法，例如纵横比为30和更高的深沟槽。根据本发明的实施方案，在半导体衬底上蚀刻沟槽的方法包括其中将沟槽蚀刻至第一深度的第一蚀刻循环。之后，在所述沟槽的侧壁的至少上部沉积保护衬层。所述保护衬层包括无机材料。经过至少一次第二蚀刻循环，该沟槽被蚀刻至其最终深度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 蚀刻 沟槽 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在半导体衬底内蚀刻沟槽的方法，该方法包括：实施第一蚀刻循环，其中将沟槽蚀刻至第一深度；至少在所述沟槽的侧壁的上部沉积保护衬层，其中所述保护衬层由无机材料构成；以及实施至少一次第二蚀刻循环，其中将所述沟槽蚀刻至最终深度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于亿恒科技股份公司，未经亿恒科技股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610089856.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
