[发明专利]薄膜晶体管、其制备方法和具有它的平板显示设备有效
申请号: | 200610089904.1 | 申请日: | 2006-05-25 |
公开(公告)号: | CN101017841A | 公开(公告)日: | 2007-08-15 |
发明(设计)人: | J·费希尔;A·马思阿;M·布雷思克 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社;三星SDI德国有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28;H01L27/32;H01L51/05 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 孙秀武;李炳爱 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了具有以多个六角形图案方式向基板施加的圆形半导体元件的有机薄膜晶体管,其制备方法,以及用于该方法中的影孔板,其使有机薄膜晶体管无需将影孔板在基板上精确对准即可形成。所述基板具有多个薄膜晶体管,每个都具有漏极、源极、栅极和由半导体元件形成的沟道,由于半导体元件的相对尺寸和对准,其可以同时连接一个晶体管的漏极和源极,但不连接相邻晶体管的两个电极。所述影孔板包括六角形图案的开口,所述图案相对于漏极和源极的纵轴旋转15°以形成沟道。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 制备 方法 具有 平板 显示 设备 | ||
【主权项】:
1、一种基板,包含:多对薄膜晶体管用漏极和源极;和排列成图案的多个半导体元件,其中一个电极对中的漏极和源极之间的第一距离小于第二距离,该第二距离是该一个电极对中的一个电极与相邻电极对中的一个电极之间的最小距离或一个电极对中的漏极或源极与基板导线之间的距离,而且其中半导体元件的最大尺寸小于所述第二距离并等于或大于所述第一距离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星SDI株式会社;三星SDI德国有限责任公司,未经三星SDI株式会社;三星SDI德国有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610089904.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的