[发明专利]发光显示器和薄膜晶体管有效
申请号: | 200610090032.0 | 申请日: | 2006-06-22 |
公开(公告)号: | CN1885552A | 公开(公告)日: | 2006-12-27 |
发明(设计)人: | 崔雄植 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L29/786 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王琦;王诚华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种用于改进图像质量的发光显示器,包括至少一根用于传输数据信号的数据线,至少一根用于传输被选信号的扫描线,和至少一个电连接到数据线和扫描线的像素。该像素包括:用于响应被选信号并传输数据信号到有机发光器件的第一薄膜晶体管(TFT);电连接到第一TFT并用于存储对应于所传输的数据信号的电压的电容器;以及连接到所述电容器的第二TFT,其用于向所述OLED提供对应于由所述被选信号选择的数据信号的电流。第一TFT的各个沟道区宽度互不相同,以降低反冲电压、提高TFT的驱动能力,进而改进发光显示器的图像质量。 | ||
搜索关键词: | 发光 显示器 薄膜晶体管 | ||
【主权项】:
1、一种发光显示器,包括:至少一根适于传输数据信号的数据线;至少一根适于传输被选信号的扫描线;以及至少一个电连接到所述数据线和所述扫描线的像素,所述像素包括:第一薄膜晶体管TFT,其用于响应所述被选信号并传输所述数据信号到有机发光器件;电容器,其电连接到所述第一TFT并用于存储对应于所传输的数据信号的电压;以及连接到所述电容器的第二TFT,其用于向所述有机发光器件提供对应于由所述被选信号选择的数据信号的电流,其中所述第一TFT的各个沟道区宽度互不相同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星SDI株式会社,未经三星SDI株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610090032.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的