[发明专利]一种生化微传感集成芯片、制作及模具制备方法无效
| 申请号： | 200610090241.5 | 申请日： | 2006-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN101101272A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 夏善红;杨海钢;韩泾鸿;孙红光;汪祖民;魏金宝;蔺增金 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26;H01L21/00;H01L23/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种生化微传感集成芯片的结构、制作及模具制备方法。集成芯片包括差分延长栅和读出电路。差分延长栅由Ta2O5敏感薄膜、PTFE钝化薄膜和Pt准参比电极组成；ISEGFET/REEGFET传感器的MOSFET位于读出电路的运算放大器中。在标准商用CMOS工艺线完成基础集成芯片；在研究性工艺线制备敏感膜、钝化薄膜及Pt薄膜等后续工艺；设计微小芯片后续工艺模具。延长栅结构的离子敏场效应传感器，给引入静电保护电路提供条件。差分延长栅和读出电路集成一个芯片或两个芯片再二次集成。单芯片集成传感器使检测系统体积缩小，实现信号原位读取和处理，一致性、可靠性及稳定性得到保证，在生化、医学领域应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生化 传感 集成 芯片 制作 模具 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种生化微传感集成芯片，其特征在于，包括：差分延长栅和读出电路，差分延长栅产生的信号由读出电路检测和处理，读出电路中含有作为离子敏延长栅场效应管ISEGFET和参比延长栅场效应管REEGFET传感器的两个金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET。
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