[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 200610090291.3 | 申请日: | 2006-07-11 |
公开(公告)号: | CN1901193A | 公开(公告)日: | 2007-01-24 |
发明(设计)人: | 汤泽健;田垣昌利 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L23/522 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种可以在焊盘的下方设置半导体元件的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括:半导体层(10),具有元件形成区域(10A、10B);第一导电层,设置于半导体层(10)的上方,具有第一宽度;第二导电层,与第一导电层连接,具有小于第一宽度的第二宽度;层间绝缘层(50)、(60),设置于半导体层(10)的上方;电极垫(62),设置于层间绝缘层(50)、(60)的上方,俯视观察时,该电极垫(62)与元件形成区域(10A)重叠;元件禁止区域(12),在半导体层(10)上,设为位于从电极垫(62)的至少一个端部的垂直下方向外侧的规定范围内。其中,在元件禁止区域(12)中,未配置连接第一导电层和第二导电层的连接部。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其包括:半导体层,具有元件形成区域;第一导电层,设置于所述半导体层的上方,具有第一宽度;第二导电层,与所述第一导电层连接,具有小于所述第一宽度的第二宽度;层间绝缘层,设置于所述半导体层的上方;电极垫,设置于所述层间绝缘层的上方,俯视观察时,所述电极垫与所述元件形成区域重叠;以及元件禁止区域,在半导体层上,设为位于从所述电极垫的至少一个端部的垂直下方向外侧的规定范围,其中,在所述元件禁止区域中,未配置连接所述第一导电层和所述第二导电层的连接部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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