[发明专利]用于形成半导体器件接触孔的方法无效
| 申请号： | 200610090343.7 | 申请日： | 2006-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1949473A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 李圣权 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种形成半导体器件接触孔的方法。在衬底上方形成导电图案。在衬底上方形成绝缘层以包埋导电图案。在绝缘层和导电图案上方顺序形成包括无定形碳层和氧化物基层的硬掩模。选择性刻蚀无定形碳层和氧化物层以形成掩模图案。利用掩模图案作为掩模刻蚀绝缘层以形成接触孔。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 半导体器件 接触 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件接触孔的方法，包括：在衬底上方形成多个导电图案；在衬底上方形成绝缘层以包埋导电图案；在绝缘层和导电图案上方顺序形成包括无定形碳层和氧化物基层的硬掩模；选择性刻蚀无定形碳层和氧化物层以形成掩模图案；和利用掩模图案作为掩模刻蚀绝缘层以形成接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
