[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 200610090383.1 | 申请日: | 2006-07-05 |
公开(公告)号: | CN1893075A | 公开(公告)日: | 2007-01-10 |
发明(设计)人: | 进藤昭则;田垣昌利;栗田秀昭 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L23/485 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种可以在焊盘的下方设置半导体器件并且可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括:半导体层(10),具有器件形成区(10A)和设置在该器件形成区(10A)周围的器件分离区(20);器件(30),形成在所述器件形成区(10A)内;层间绝缘层(60),设置在所述半导体层(10)的上面;及电极垫(62),设置在所述绝缘层(60)的上面,并且平面形状为具有短边和长边的长方形,并且在俯视图上与所述器件(30)至少一部分重复;其中,在所述半导体层(10)中,从所述电极垫(62)的所述短边的垂直下方朝向外侧的规定范围是器件禁止区(12)。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于包括:半导体层,具有器件形成区和设置在所述器件形成区周围的器件分离区;器件,形成在所述器件形成区内;层间绝缘层,设置在所述半导体层上面;以及电极垫,设置在所述层间绝缘层的上面,并且平面形状为具有短边和长边的长方形,在俯视图上所述电极垫与所述器件一部分重复;其中,在所述半导体层中,从所述电极垫的所述短边的垂直下方朝向外侧的规定范围是器件禁止区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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