[发明专利]用于高分辨率CMOS图像传感器的堆叠式像素有效
| 申请号： | 200610090548.5 | 申请日： | 2006-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1905202A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 雅罗斯拉夫·希内切克 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种固态CMOS图像传感器，特别是一种具有堆叠式光位点、高灵敏度和低暗电流的CMOS图像传感器。在包括像素阵列的图像传感器中，每个像素包括：标准光感测和电荷存储区域，其形成于基片的表面部分下的第一区域中，且收集产生光的载流子；第二电荷存储区域，其相邻于所述基片的表面部分而形成，且与所述标准光感测和电荷存储区域分离；以及势垒，其形成于所述第一区域与所述第一区域之下的第二区域之间，且将所述产生光的载流子从所述第二区域转向至所述第二电荷存储区域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高分辨率 cmos 图像传感器 堆叠 像素 | ||
【主权项】：
1.一种包括像素阵列的图像传感器，每个像素包括：标准光感测和电荷存储区域，其形成于基片的表面部分下的第一区域中，且收集产生光的载流子；第二电荷存储区域，其形成于所述基片的表面部分，且与所述标准光感测和电荷存储区域分离；以及势垒，其形成于所述第一区域与所述第一区域之下的第二区域之间，且将所述产生光的载流子从所述第二区域转向至所述第二电荷存储区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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