[发明专利]用于制造CMOS图像传感器的方法无效
| 申请号： | 200610090550.2 | 申请日： | 2006-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1893025A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 金相植 | 申请（专利权）人： | 东部电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种用于制造CMOS图像传感器的方法。本方法包括以下步骤：(a)在包括光感测部和布线接合垫的半导体基板上形成保护层；(b)通过移除所述布线接合垫上的保护层的一部分，暴露所述布线接合垫；(c)在所述被暴露的布线接合垫和所述保护层上形成薄抗蚀剂膜；(d)在所述薄抗蚀剂膜上形成滤色器阵列；(e)在所述薄抗蚀剂膜上形成多个微透镜；以及(f)在所述基板之上所得到的结构上执行毯式蚀刻直到所述布线接合垫被暴露。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 cmos 图像传感器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造CMOS图像传感器的方法，包括以下步骤：(a)在包括光感测部和布线接合垫的半导体基板上形成保护层；(b)通过移除所述布线接合垫上的保护层的一部分，暴露所述布线接合垫；(c)在所述被暴露的布线接合垫和所述保护层上形成薄抗蚀剂膜；(d)在所述薄抗蚀剂膜上形成滤色器阵列；(e)在所述薄抗蚀剂膜上形成多个微透镜；以及(f)在所述基板之上所得到的结构上执行毯式蚀刻直到所述布线接合垫被暴露。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
