[发明专利]固态成像装置无效
| 申请号： | 200610090815.9 | 申请日： | 2006-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1885550A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 村田隆彦;山口琢己;春日繁孝 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘红;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过使R(红色)分量光所进入的孔径13a大于其它孔径(孔径12a，14a和15a)，和各个孔径具有相同尺寸的情形相比可减小R分量光的衰减率。因此，可以抑制对R分量光的灵敏度的恶化，并降低图像质量的恶化。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 成像 装置 | ||
【主权项】：
1.一种固态成像装置，包括：具有多个光接收区域的半导体衬底；以及覆盖该半导体衬底并具有多个孔径的光屏蔽薄膜，该多个孔径在位置上和多个光接收区域相对应，且该多个波段中任一波段的光进入各个孔径，其中最长波段光所进入的孔径在该多个孔径中尺寸最大。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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