[发明专利]大功率垂直外腔表面发射激光器无效
| 申请号： | 200610090854.9 | 申请日： | 2006-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1893208A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 金起成 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/14;H01S5/343;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改进的VECSEL装置，其中每个量子势阱层的增益在所提供的周期性增益结构中可以得到增加。垂直外腔表面发射激光器(VECSEL)装置包括：基板；底部DBR镜，形成在该基板上；多重量子势阱层，形成在底部DBR镜上，并且包括多个量子势阱层和第一和第二应变补偿层，分别形成在每个量子势阱层之上和之下，以逐步释放量子势阱层的应变；顶盖层，形成在该多重量子势阱层上；光泵，发射泵浦束到该顶盖层的表面上；和外腔反射镜，与底部DBR镜分隔并且面向底部DBR镜。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 垂直 表面 发射 激光器 | ||
【主权项】：
1、一种垂直外腔表面发射激光器装置，包括：基板；底部衍射布拉格反射镜，形成在所述基板上；多重量子势阱层，形成在所述衍射布拉格反射镜上，并且包括：多个量子势阱层；和第一和第二应变补偿层，依次形成在每个量子势阱层之上和之下，以逐步释放所述量子势阱层的应变；顶盖层，形成在所述多重量子势阱层上；光泵，发射泵浦束到所述顶盖层的表面上；和外腔反射镜，与所述底部衍射布拉格反射镜隔开并且面向所述底部衍射布拉格反射镜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610090854.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：阻燃剂组合物及其应用
- 下一篇：一种活性人参脆片及其制备方法
