[发明专利]二维纳米结构深刻蚀方法无效
| 申请号： | 200610091006.X | 申请日： | 2006-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN101101445A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 马小涛;郑婉华;杨国华;任刚;陈良惠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/20;G03F7/42;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种二维纳米结构深刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：S01、在衬底上涂覆光刻胶，采用电子束曝光或其它曝光技术在光刻胶上制作出光子晶体纳米图形；S02、将光子晶体纳米图形转移到衬底上；S03、在纳米图形转移之后，将衬底表面的光刻胶去除，采用热氧化工艺将有纳米结构的部分氧化生成SiO2；S04、取一待刻蚀的III-V族半导体衬底，将所述衬底有纳米结构的表面与III-V族半导体衬底的待刻蚀面相对，利用非平面键合技术，将两种材料粘合；S05、采用减薄工艺，将衬底减薄至仅留下已氧化为SiO2的纳米结构。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 纳米 结构 深刻 方法 | ||
【主权项】：
1、一种二维纳米结构深刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：S01、在衬底上涂覆光刻胶，采用电子束曝光或其它曝光技术在光刻胶上制作出光子晶体纳米图形；S02、将光子晶体纳米图形转移到衬底上；S03、在纳米图形转移之后，将衬底表面的光刻胶去除，采用热氧化工艺将有纳米结构的部分氧化生成SiO2；S04、取一待刻蚀的III-V族半导体衬底，将所述衬底有纳米结构的表面与III-V族半导体衬底的待刻蚀面相对，利用非平面键合技术，将两种材料粘合；S05、采用减薄工艺，将衬底减薄至仅留下已氧化为SiO2 的纳米结构。
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