[发明专利]具有多孔道结构特征的钨配合物晶体的制备方法

摘要

本发明公开了制备具有多孔道结构的钨配合物晶体的方法以及由该方法制备的钨配合物晶体，该方法包括在常温或高温下，将单钨化合物或多钨聚合物、有机胺以及邻苯二酚苯或邻苯二酚取代衍生物在有机相溶剂、无机相溶剂或者有机相与无机相的混合相溶剂中进行反应，将反应液过滤，向滤液中加入乙醚后静置于室温或更低温度下进行结晶。该方法可以制备微米、纳米尺度的具有多孔道结构特征的多层次组装的管状、条状以及薄层片状的低维钨配合物晶体。本发明提供的制备方法具有产物形貌可控、工艺与设备简单的优点。

主权项

1.制备具有多孔道结构的钨配合物晶体的方法，该方法包括将单钨化合物或多钨聚合物与有机配体以及有机胺在溶剂中反应，所述钨配合物晶的配位阴离子的结构通式为：其中W^(q+)为W^(IV)、W^(V)、W^(VI)配位金属中心离子，六圆环为苯环，R为卤素、烷基、氨基或硝基等取代基，烷基优选为C1～C5烷基，该R取代的苯环可以是单取代的或二取代的或更多位取代，对于二取代而言取代基可互为邻位、对位或者间位，即配体为邻苯二酚苯芳香族化合物或其苯环上的氢被卤素、烷基、氨基或硝基等取代的衍生物；上述钨配合物晶体中配位阴离子的抗衡阳离子为质子化乙二胺阳离子、质子化1，2-丙二胺或质子化1，3-丙二胺阳离子。