[发明专利]制备光学器件的方法及相关改进有效
| 申请号： | 200610091225.8 | 申请日： | 2002-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1870220A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 约翰·艾格·马什;克雷格·詹姆斯·汉密尔顿;奥列克·彼得·科瓦尔斯基;斯图尔特·邓肯·麦克杜格尔;刘雪峰;邱波苍 | 申请（专利权）人： | 因腾斯有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L33/00;H01S5/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 程金山 |
| 地址： | 英国布*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 公开了一种使用杂质诱导的量子势阱混合(QWI)工艺制备光学器件的改进方法。已报道的QWI方法，特别是无杂质空穴扩散(IFVD)方法，存在许多的缺点，例如在某温度下砷化镓(GaAs)从半导体材料向外扩散到二氧化硅(SiO2)薄膜时的温度。因此，本发明提供了一种制备光学器件的方法，所述的器件由包括至少一个量子势阱(QW)(10a)的器件主体部分制备，该方法包括如下步骤：促使第一种材料扩散进入器件主体部分(5a)和同样器件主体部分(5a)的材料向外扩散并进入第二种材料。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 光学 器件 方法 相关 改进 | ||
【主权项】：
1.一种制备光学器件的方法，所述的器件由包括至少一个量子势阱(QW)的器件主体部分制备，该方法包括如下步骤：促使第一种材料扩散进入器件主体部分和同样器件主体部分的材料向外扩散并进入第二种材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
