[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610091228.1 | 申请日： | 2006-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1933161A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 大塚隆史;中林隆 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L27/102;H01L27/10;H01L27/02;H01L27/00;H01L21/8242;H01L21/8222;H01L21/82;H01L21/316;H01L21/02;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。目的在于：提供一种包括了MIM电容器的半导体装置及其制造方法，该MIM电容器能够抑制由来自电极的电子的热放出而引起的漏电流及由沟道效果而引起的漏电流，且能够维持较高的相对介电常数。在包括了依次叠层下部电极16、电容绝缘膜18及上部电极20而形成的电容器的半导体装置中，电容绝缘膜18由Hf氧化物或Zr氧化物构成，在下部电极16和电容绝缘膜18之间形成有由含Al或Si的至少一方的Hf氧化物或Zr氧化物构成的阻挡膜17。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，包括在衬底上依次叠层下部电极、电容绝缘膜及上部电极而形成的电容器，其特征在于：上述电容绝缘膜由Hf氧化物或Zr氧化物构成；在上述下部电极和上述电容绝缘膜之间形成有由含Al或Si的至少一方的Hf氧化物或Zr氧化物构成的第1阻挡膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
