[发明专利]电光学装置及其制造方法、图像形成装置有效
申请号: | 200610091242.1 | 申请日: | 2006-06-08 |
公开(公告)号: | CN1877850A | 公开(公告)日: | 2006-12-13 |
发明(设计)人: | 樱井和德 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/32;H01L21/82;H05B33/12;H05B33/06;H05B33/10;G03G15/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供通过将成为有利于发光的层的膜的无用部分从布线上一并充分去除的方法可制造的电光学装置以及采用其的图像形成装置。具备主基板(11)、排列在主基板上的像素区域(P)、与覆盖像素区域的阳极层(13a)接触的阳极端子(13)和与覆盖像素区域(P)的阴极接触的阴极端子(14)。两个端子形成在主基板上的发光元件的发光层(17)的下层。阳极端子(13)具有连接来自主基板外的外部装置的端子的外部连接部(13b),阴极端子(14)具有连接所述端子的外部连接部(14b)和与阴极覆盖导电层(19)接触的阴极接触部(14a)。阴极层(18)与阴极覆盖导电层(19)接触,与发光层接合,不与外部连接部(13b)、外部连接部(14b)及阴极接触部(14a)重叠。 | ||
搜索关键词: | 光学 装置 及其 制造 方法 图像 形成 | ||
【主权项】:
1、一种电光学装置,排列有多个发光元件,该发光元件具备第一电极层、第二电极层和根据所述第一电极层以及所述第二电极层之间的电压而发光的发光功能层,所述电光学装置,具备:主基板;配置在所述主基板上的所述第一电极层;配置在所述第一电极层上的所述发光功能层;配置在所述发光功能层上的所述第二电极层;多根布线,形成在所述主基板上比所述发光功能层更下层,向所述发光元件供电或者控制所述发光元件;导电体,将所述布线中的任一根与所述第二电极层连接;和绝缘性保护膜,形成在比所述发光功能层更下层且比所述第一电极层以及所述布线更上层,将所述布线一部分覆盖,所述布线,在上面具有外部连接部,其连接所述主基板外的外部装置的端子,所述保护膜不与所述外部连接部重叠,在所述第一电极层上,在所述保护膜上形成第一贯通孔,通过所述第一贯通孔,所述第一电极层与所述发光功能层接合,所述第二电极层,与所述发光功能层中的至少与所述第一贯通孔重叠的区域的上面紧密接合,将该区域覆盖,在通过所述导电体与所述第二电极层连接的所述布线上,形成在所述保护膜上填充所述导电体的第二贯通孔,所述第二电极层,按照与所述第二贯通孔以及所述外部连接部中的任一方都不重叠的方式被配置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的